对比图
型号 VND3NV0413TR VND3NV04TR-E VND3NV04
描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 电源管理FET驱动器开关电源
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-2 TO-252-3
输出接口数 1 1 1
输出电流 7 A 7 A 7 A
供电电流 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
漏源极电阻 120 mΩ 120 mΩ 120 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 35 W 35 W
漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 3.50 A
上升时间 - 250 ns -
输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 3.5 A
输出电流(Min) 3.5 A 3.5 A -
输入数 1 1 1
下降时间 - 250 ns -
耗散功率(Max) 35000 mW 35000 mW 35000 mW
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 3.50 A - -
封装 TO-252-3 TO-252-2 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99