ZTX849和ZTX849STOA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX849 ZTX849STOA ZTX849STZ

描述 DIODES INC.  ZTX849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFETRANS NPN 30V 5A E-LINETrans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.2 W 1.2 W 1200 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1V 100 @1A, 1V 100 @1A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 1V -

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W 1.2 W

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

直流电流增益(hFE) 200 - -

耗散功率(Max) 1200 mW - 1200 mW

长度 - 4.77 mm -

宽度 - 2.41 mm -

高度 - 4.01 mm -

封装 E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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