FDS3590和PHK12NQ10T,518

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS3590 PHK12NQ10T,518 PSMN038-100K,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3590  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 80 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 VSO N-CH 100V 11.6ASO N-CH 100V 6.3A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 8.9 W 3.5 W

漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 11.6 A 6.3A

上升时间 8 ns 21 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 1180pF @40V(Vds) 1965pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 11 ns 25 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 8.9W (Tc) 3.5W (Tc)

额定功率(Max) 1 W - 3.5 W

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 6.50 A - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.032 Ω - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 1.18 nF - -

栅电荷 25.0 nC - -

漏源击穿电压 80.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台