对比图
型号 CSD86330Q3D CSD87335Q3D CSD87333Q3D
描述 同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对CSD87335Q3D 同步降压 NexFET™ 电源块高占空比同步降压 NexFET 3x3 电源块
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 LDFN-8 PowerLDFN-8 VSON-8
极性 Dual N-Channel N-CH Dual N-Channel
耗散功率 6 W 6 W 6 W
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 25A -
输入电容(Ciss) 920pF @12.5V(Vds) 1050pF @15V(Vds) 662pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 6 W 6 W 6 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 6 W 6000 mW -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 4.6 Ω - 0.0119 Ω
阈值电压 1.4 V - 950 mV
上升时间 - - 3.9 ns
下降时间 - - 2.2 ns
电源电压(DC) 22.0V (max) - -
通道数 2 - -
封装 LDFN-8 PowerLDFN-8 VSON-8
长度 3.4 mm - 3.3 mm
宽度 3.4 mm - 3.3 mm
高度 1.5 mm - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 125℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99