FQU2N90TU和FQU2N90TU_WS

对比图

型号 FQU2N90TU FQU2N90TU_WS FQU2N90TU_AM002

描述 N沟道 900V 1.7ATrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin(3+Tab) IPAK RailTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5 W 2.5W (Ta), 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 1.70 A 1.7A 1.7A

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds) 500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

额定电压(DC) 900 V - -

额定电流 1.70 A - -

漏源极电阻 7.20 Ω 7.2 Ω -

漏源击穿电压 900 V 900 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

通道数 - 1 -

上升时间 - 35 ns -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.8 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 6.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -