VISHAY SI3456DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, HDD and DC-to-DC converter applications.
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
富昌:
N 沟道 30 V 0.04 Ohm 2.7 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
Newark:
# VISHAY SI3456DDV-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
儒卓力:
**N-CH 30V 6,3A 40mOhm TSOP-6 **
针脚数 6
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 13 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-6
封装 TSOP-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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