SI3456DDV-T1-GE3

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SI3456DDV-T1-GE3概述

VISHAY  SI3456DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, HDD and DC-to-DC converter applications.

.
Halogen-free
.
-55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
N 沟道 30 V 0.04 Ohm 2.7 W 表面贴装 功率 Mosfet - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3456DDV-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V


儒卓力:
**N-CH 30V 6,3A 40mOhm TSOP-6 **


SI3456DDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 13 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI3456DDV-T1-GE3
型号: SI3456DDV-T1-GE3
描述:VISHAY  SI3456DDV-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
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