BC557BRL1G和BC557BZL1G

对比图

型号 BC557BRL1G BC557BZL1G BC560CTA

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC557BRL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 320 MHz, 625 mW, -100 mA, 180 hFEON SEMICONDUCTOR  BC557BZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC560CTA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 150 MHz, 500 mW, -100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 320 MHz 320 MHz 150 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 625 mW 625 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) 180 290 420

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

额定功率 - - 500 mW

长度 5.2 mm 5.2 mm 5.2 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99