对比图
型号 SIHB15N60E-GE3 STB15NM60ND STB20NM60D
描述 E-系列 N沟道 600 V 180 W 0.28 Ω 78 nC 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAKN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTB20NM60D系列 N沟道 600 V 0.26 Ohm FDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 0.23 Ω 0.27 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 180 W 125 W 192 W
阈值电压 2 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
连续漏极电流(Ids) 15A 14A -
上升时间 77 ns 20 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1350pF @100V(Vds) 1250pF @50V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 125 W 192 W
下降时间 66 ns 28 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 180 W 125W (Tc) 192W (Tc)
针脚数 3 - -
长度 10.67 mm 10.75 mm -
宽度 9.65 mm 10.4 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -