L6385和L6385E

对比图

型号 L6385 L6385E L6385ED

描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERSTMICROELECTRONICS  L6385E  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8STMICROELECTRONICS  L6385ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8

频率 - 400 kHz 400 kHz

电源电压(DC) 17.0V (max) -300 mV (min) -300 mV (min)

额定功率 - 750 mW 750 mW

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 580 V 580 V

输出电流 - 400 mA 400 mA

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW

上升时间 - 50 ns 50 ns

下降时间 - 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 17 V 17 V 17 V

电源电压(Max) - 17 V 17 V

电源电压(Min) - 0.3 V 0.3 V

长度 - 10.92 mm 5 mm

宽度 - 6.6 mm 4 mm

高度 - 3.32 mm 1.25 mm

封装 DIP-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99