对比图
描述 ON SEMICONDUCTOR MJD122G 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1.75 W, 8 A, 2500 hFEON SEMICONDUCTOR MJD122T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK, 整卷NPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 8.00 A 8.00 A 5.00 A
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.75 W 20 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 8A 8A -
最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @4A, 4V 1000 @4A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) 12000 12000 -
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 20 W
直流电流增益(hFE) 2500 1000 1000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 4MHz (Min) 4MHz (Min) -
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20000 mW
额定功率 1.75 W - 1.75 W
输出电压 100 V - -
输出电流 8 A - -
热阻 71.4℃/W (RθJA) - -
输入电压 5 V - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99