MJ21194和MJ21194G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ21194 MJ21194G MJ21196G

描述 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  MJ21194G  单晶体管 双极, 音频, NPN, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFE硅功率晶体管 Silicon Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

频率 - 4 MHz 4 MHz

额定电压(DC) 250 V 250 V 250 V

额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A

针脚数 - 2 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 250 W 250 W 250 W

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

热阻 - 0.7℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 16A 16A 16A

最小电流放大倍数(hFE) 25 25 25 @8A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 75 75

额定功率(Max) - 250 W 250 W

直流电流增益(hFE) - 75 25

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250000 mW 250000 mW

长度 39.37 mm 39.37 mm -

宽度 26.67 mm 26.67 mm 26.67 mm

高度 8.51 mm 8.51 mm -

封装 TO-204-2 TO-204-2 TO-204-2

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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