PD55035-E和PD55035S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55035-E PD55035S PD55035S-E

描述 RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10-4 PowerSO-10RF

频率 500 MHz - 500 MHz

额定电流 7 A - 7 A

耗散功率 95 W 95.0 W 95000 mW

输出功率 35 W - 35 W

增益 16.9 dB - 16.9 dB

测试电流 200 mA - 200 mA

输入电容(Ciss) 92pF @12.5V(Vds) - 92pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ - 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 95000 mW - 95000 mW

额定电压 40 V - 40 V

极性 - N-Channel N-Channel

漏源击穿电压 - 40.0 V 40.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.00 A 7.00 A

额定电压(DC) - - 40.0 V

漏源极电压(Vds) - - 40 V

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10-4 PowerSO-10RF

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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