对比图
型号 JAN2N7370 JANTX2N7370 JANTXV2N7370
描述 NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3
引脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 12A 12A 12A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @6A, 3V 1000 @6A, 3V 1000 @6A, 3V
额定功率(Max) 100 W 100 W 100 W
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100000 mW 100000 mW
耗散功率 - - 100 W
封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - - EAR99