FQB12P10TM和FQB12N60TM_AM002

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB12P10TM FQB12N60TM_AM002 FQB12N60CTM

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 600V 12A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) -100 V 600 V 600 V

额定电流 -11.5 A 10.5 A 12.0 A

漏源极电阻 240 mΩ 700 mΩ 650 mΩ

极性 P-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.75 W 3.13W (Ta), 180W (Tc) 225 W

漏源极电压(Vds) 100 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 100 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.5 A 10.5 A 12.0 A

上升时间 160 ns - 85 ns

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 2290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.75 W - 3.13 W

下降时间 60 ns - 90 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 75W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) 3.13W (Ta), 225W (Tc)

通道数 - - 1

输入电容 - 1.90 nF 2.29 nF

栅电荷 - 54.0 nC 63.0 nC

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tape Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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