对比图
型号 FDPF5N60NZ STP4NK60ZFP FQPF6N60C
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF5N60NZ 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 1.65 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF6N60C 功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 5.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 25 W -
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.65 Ω 2 Ω 2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 25 W 40 W
阈值电压 3 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.00 A 5.50 A
上升时间 20 ns 9.5 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 33 W 25 W 40 W
下降时间 20 ns 16.5 ns 45 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 33W (Tc) 25000 mW 40W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 5.50 A
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 10.16 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 15.87 mm 9.3 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99