BDV65BG和TIP142G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDV65BG TIP142G BDV65B

描述 ON SEMICONDUCTOR  BDV65BG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  TIP142G.  达林顿双极晶体管DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A

输出电压 - 100 V -

输出电流 - 10 A -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 125 W 125 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

热阻 - 35.7℃/W (RθJA) -

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 1000 @5A, 4V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 125 W 125 W 125 W

直流电流增益(hFE) 1000 500 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 125000 mW 125000 mW -

输入电压 - 5 V -

额定功率 125 W - -

长度 15.2 mm 16.26 mm -

宽度 4.9 mm 4.9 mm -

高度 12.2 mm 5.3 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-218-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 30

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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