ICTE8C-E3/51和ICTE8C-E3/54

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE8C-E3/51 ICTE8C-E3/54 ICTE8C-E3/73

描述 Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V BidirectDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

引脚数 - 2 -

击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

耗散功率 1.5 kW - -

钳位电压 11.6 V 11.6 V 11.6 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作电压 - 8 V 8 V

测试电流 - 1 mA -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

长度 9.5 mm 9.5 mm -

高度 5.3 mm 5.3 mm -

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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