NSCT2907ALT1G和SMMBT2907ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSCT2907ALT1G SMMBT2907ALT1G MMBT2907ALT3G

描述 SOT-23 PNP 60V 0.6ANPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT3G  双极性晶体管, PNP, -60V, SOT-23, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V

额定电流 - - -600 mA

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 50 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 50 100

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 2.64 mm 1.4 mm

高度 - 1.11 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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