对比图
型号 PBSS8110D PBSS8110X,135 PBSS8110D,115
描述 100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorNXP PBSS8110X,135 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFETSOP NPN 100V 1A
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 6
封装 TSOP SOT-89-3 TSOP-6
频率 - 100 MHz -
针脚数 - 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 2 W 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 150 @250mA, 10V 150 @250mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 150 @1mA, 10V -
额定功率(Max) - 2 W 700 mW
直流电流增益(hFE) - 150 150
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW 700 mW
宽度 - 2.6 mm -
封装 TSOP SOT-89-3 TSOP-6
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17