对比图
型号 MTD6N20ET4 MTD6P10E MTD6N20ET4G
描述 功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAKDPAK P-CH 100V 6AON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 200 V -100 V 200 V
额定电流 6.00 A -6.00 A 6.00 A
漏源极电阻 460 mΩ - 0.46 Ω
极性 N-Channel P-CH N-Channel
耗散功率 1.75W (Ta), 50W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 50 W
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A 6.00 A
上升时间 29.0 ns 29 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.75 W - 1.75 W
耗散功率(Max) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc)
下降时间 - 9 ns 20 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 480 pF
栅电荷 - - 21.0 nC
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Rail Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99