对比图
型号 FQP32N20C FQP32N20C_F080 STP20NF20
描述 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailSTMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V - 200 V
额定电流 28.0 A - 18.0 A
漏源极电阻 88.0 mΩ - 0.125 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 156 W 156 W 90 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V - 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 28A 18.0 A
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 156 W - 90 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 156W (Tc) 156W (Tc) 110W (Tc)
上升时间 - 270 ns 30 ns
下降时间 - 210 ns 10 ns
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
输入电容 - - 940 pF
栅电荷 - - 28.0 nC
长度 10.1 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 16.3 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99