MJD31CG和MJD31CT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD31CG MJD31CT4G MJD31CT4

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD31CG  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFEON SEMICONDUCTOR  MJD31CT4G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFESTMICROELECTRONICS  MJD31CT4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 15 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 15 W 15 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 15 W

直流电流增益(hFE) 10 10 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1.56 W 1560 mW 15000 mW

频率 3 MHz 3 MHz -

增益频宽积 - 3 MHz -

集电极最大允许电流 3A 3A -

热阻 8.3℃/W (RθJC) - -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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