IR2111SPBF和IR2111STRPBF

对比图

型号 IR2111SPBF IR2111STRPBF IR2111S

描述 INFINEON  IR2111SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Driver 600V 0.5A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min) -

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

静态电流 - 180 µA -

上升时间 130 ns 130 ns -

下降时间 65 ns 65 ns -

下降时间(Max) 65 ns 65 ns 65 ns

上升时间(Max) 130 ns 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

额定功率 625 mW - -

输出电压 600 V - -

输出电流 250.500 mA - -

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

电源电压(Max) 20 V - -

电源电压(Min) 10 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -