对比图
型号 IXUC100N055 STP60NF06 SPB20N60C3
描述 ISOPLUS N-CH 55V 100ASTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VINFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-263-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150W (Tc) 110 W 208 W
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 100 A 60.0 A 20.7 A
隔离电压 2.50 kV - -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 110W (Tc) 208W (Tc)
额定电压(DC) - 60.0 V 650 V
额定电流 - 60.0 A 20.7 A
额定功率 - - 208 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.016 Ω 190 mΩ
阈值电压 - 2 V 3 V
输入电容 - - 4.50 nF
上升时间 - 108 ns 5 ns
输入电容(Ciss) - 1660pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 208 W
下降时间 - 20 ns 4.5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
漏源击穿电压 - 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 ISOPLUS-220 TO-220-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm 10.31 mm
宽度 - 4.6 mm 9.25 mm
高度 - 9.15 mm 4.57 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99