对比图
型号 BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1
描述 SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-TransistorINFINEON BSO615N G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 VINFINEON BSO615NGHUMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 2.60 A 2.60 A 2.60 A
极性 N-CH Dual N-Channel Dual N-Channel
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 2.60 A 2.60 A 2.60 A
上升时间 15 ns 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 380pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
下降时间 15 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2000 mW
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.12 Ω 0.12 Ω
耗散功率 - 2 W 2 W
阈值电压 - 1.6 V 1.6 V
输入电容 - 380 pF 380 pF
栅电荷 - 20.0 nC 20.0 nC
额定功率 - - 2 W
封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
长度 - 4.9 mm -
宽度 - 3.9 mm -
高度 - 1.75 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -