对比图
型号 JANTX2N5661 JANTXV2N5661 JAN2N5661
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-66 TO-66 TO-66
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 25 @500mA, 5V - -
额定功率(Max) 1 W - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -
封装 TO-66 TO-66 TO-66
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead - Contains Lead