JANTX2N5661和JANTXV2N5661

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5661 JANTXV2N5661 JAN2N5661

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @500mA, 5V - -

额定功率(Max) 1 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -

封装 TO-66 TO-66 TO-66

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

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