对比图
型号 FDD6685 SUP75P05-08 STD30PF03LT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6685 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.8 VMOSFET 55V 75A 250WSTMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) -30.0 V -55.0 V -30.0 V
额定电流 -40.0 A - -24.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.014 Ω - 0.028 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 52 W 250 W 70 W
输入电容 1.71 nF - -
栅电荷 17.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) -40.0 A 75.0 A 24.0 A
上升时间 11 ns - 122 ns
输入电容(Ciss) 1715pF @15V(Vds) - 1670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W - 70 W
下降时间 21 ns - 26 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 52W (Ta) - 70W (Tc)
额定功率 - - 70 W
阈值电压 - - 1 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
长度 6.73 mm 10.41 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 4.7 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 15.49 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -