对比图
型号 BSO150N03 FDC655BN FDS6930B
描述 OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VFDS6930B 系列 30 V 38 mOhm 双 N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 PG-DSO-8 TSOT-23-6 SOIC-8
引脚数 - 6 8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 9.10 A 6.30 A -
极性 N-CH N-Channel -
输入电容 1.89 nF 570 pF -
栅电荷 15.0 nC 10.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 9.10 A 6.30 A -
输入电容(Ciss) 1890pF @15V(Vds) 570pF @15V(Vds) 412pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.4 W 800 mW 900 mW
针脚数 - 6 8
漏源极电阻 - 0.021 Ω 0.031 Ω
耗散功率 - 1.6 W 2 W
阈值电压 - 1.9 V 1.9 V
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 4 ns 6 ns
下降时间 - 3 ns 2 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.6 W 2000 mW
封装 PG-DSO-8 TSOT-23-6 SOIC-8
长度 - 3 mm 5 mm
宽度 - 1.7 mm 4 mm
高度 - 1 mm 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -