APT11N80KC3G和SPP11N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT11N80KC3G SPP11N80C3 SPP11N80C3XKSA1

描述 TO-220AC N-CH 800V 11AINFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPP11N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V

额定电流 11.0 A 11.0 A 11.0 A

额定功率 - 156 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.39 Ω 0.39 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 156 W 156 W 156 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 11.0 A

上升时间 - 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1585pF @25V(Vds) 1600pF @100V(Vds) 1600pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 156 W 156 W -

下降时间 - 7 ns 7 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 156W (Tc) 156 W 156W (Tc)

输入电容 1.59 nF - -

栅电荷 60.0 nC - -

长度 - 10.36 mm 10.36 mm

宽度 - 4.57 mm 4.57 mm

高度 - 9.45 mm 9.45 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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