FDC658AP和SI3457DV

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC658AP SI3457DV AO6405

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC658AP  晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -30 V, 0.044 ohm, -10 V, -1.8 V单P沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET-30V,-5A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -4.00 A -

漏源极电阻 0.044 Ω 0.05 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.6 W 1.6 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.00 mA 4.00 A 5A

上升时间 12 ns 12 ns 5.5 ns

输入电容(Ciss) 470pF @15V(Vds) 470pF @25V(Vds) 840pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 2 W

下降时间 6 ns 6 ns 7 ns

耗散功率(Max) 1.6 W 1.6W (Ta) 2W (Ta)

额定功率 1.6 W - 1.3 W

针脚数 6 - -

阈值电压 1.8 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOP-6

长度 3 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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