对比图
型号 575-8 IRFR13N15D PSMN063-150D,118
描述 TRANSISTOR 29 A, 150 V, 0.063 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, DPAK-3, FET General Purpose PowerDPAK N-CH 150V 14APSMN 系列 150 V 63 mΩ 150 W N 沟道 增强模式 晶体管 - SOT-428
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 - TO-252 TO-252-3
引脚数 - 3 -
耗散功率 - 86.0 W 150 W
漏源极电压(Vds) - 150 V 150 V
上升时间 - 26 ns 50 ns
输入电容(Ciss) - 620pF @25V(Vds) 2390pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 150 W
下降时间 - 11 ns 38 ns
耗散功率(Max) - 86000 mW 150W (Tc)
额定电压(DC) - 150 V -
额定电流 - 14.0 A -
极性 - N-Channel -
产品系列 - IRFR13N15D -
漏源击穿电压 - 150 V -
连续漏极电流(Ids) - 14.0 A -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 - TO-252 TO-252-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free