对比图
型号 SPA11N60CFDXKSA1 STP18N55M5 STP11NM60FP
描述 N沟道 600V 11ASTMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.38 Ω 0.18 Ω 450 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 33 W 90 W 35 W
阈值电压 4 V 4 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 18 ns 9.5 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 33 W 90 W -
下降时间 7 ns 13 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 33W (Tc) 110W (Tc) 35 W
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 11.0 A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A - 11.0 A
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 9.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -