对比图
型号 FDR4420A FDS6690AS FDS4897AC
描述 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4897AC 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 11.0 A 10.0 A -
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 9.00 mΩ 0.01 Ω 0.02 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.8W (Ta) 2.5 W 2 W
阈值电压 - 1.6 V 2 V
输入电容 2.56 nF 910 pF -
栅电荷 23.0 nC 16.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V
漏源击穿电压 -100 V 30.0 V 40 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 10.0 A 6.1A/5.2A
上升时间 15.0 ns 5 ns -
输入电容(Ciss) 2560pF @15V(Vds) 910pF @15V(Vds) 1055pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W 900 mW
下降时间 - 6 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 2500 mW 1.6 W
通道数 - - 2
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.575 mm
封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -