BSH103,215和MMBF0201NLT1G

对比图

型号 BSH103,215 MMBF0201NLT1G BSH103,235

描述 NXP  BSH103,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mVON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20VTrans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3Pin TO-236AB T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 300 mA -

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.4 Ω 0.75 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 750 mW 225 mW 540mW (Ta)

阈值电压 400 mV 1.7 V 400 mV

输入电容 - 45.0 pF -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 30 V

漏源击穿电压 - 62 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 850 mA 300 mA -

上升时间 3.5 ns 2.5 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 83pF @24V(Vds) 45pF @5V(Vds) 83pF @24V(Vds)

额定功率(Max) 540 mW 225 mW -

下降时间 7 ns 0.8 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 540mW (Ta) 225mW (Ta) 540mW (Ta)

长度 3 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -