FQD1N60TF和STD1NK60T4

对比图

型号 FQD1N60TF STD1NK60T4 FQD1N60TM

描述 N沟道 600V 1ASTMICROELECTRONICS  STD1NK60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 VN沟道 600V 1A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

漏源极电阻 11.5 Ω 8 Ω 11.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 30 W 2.5W (Ta), 30W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.00 A 1.00 A

输入电容(Ciss) 150pF @25V(Vds) 156pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 30 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

上升时间 - 5 ns -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -