FQD30N06TF和FQD30N06TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD30N06TF FQD30N06TM

描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 60V 22.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - -

额定电压(DC) 60.0 V -

额定电流 22.7 A -

漏源极电阻 45.0 mΩ -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V -

连续漏极电流(Ids) 22.7 A 22.7A

上升时间 85 ns -

输入电容(Ciss) 945pF @25V(Vds) 945pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

下降时间 40 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc)

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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