对比图
型号 DMG6968U-7 SI2312CDS-T1-GE3
描述 DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3VISHAY SI2312CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 26500 µohm, 4.5 V, 450 mV
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.021 Ω 0.0265 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.25 W
阈值电压 500 mV 450 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 6.5A -
上升时间 66 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 151pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 810 mW -
下降时间 205 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1300 mW -
额定功率 1.3 W -
输入电容 151 pF -
封装 SOT-23-3 SOT-23
长度 3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15
军工级 Yes -
ECCN代码 EAR99 EAR99