ULN2803A和ULN2803AN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ULN2803A ULN2803AN ULN2803APG

描述 STMICROELECTRONICS  ULN2803A  双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS  ULN2803AN  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIP500mA,50V,8通道的达林顿晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 18 18 18

封装 DIP-18 DIP-18 DIP-18

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

输出电压 50 V - 2.50 V

输出电流 500 mA - 0.5 A

通道数 8 - 8

针脚数 18 18 18

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2.25 W - 760 mW

输入电容 15.0 pF - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V - -

额定功率(Max) 2.25 W - -

直流电流增益(hFE) 1000 - 1000

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -65 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2250 mW - 1.47 W

电源电压 5 V - -

输入电压 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

输入电压(Max) - 5 V 30 V

输出电压(Max) - 50 V 50 V

输出电流(Max) - 500 mA 500 mA

驱动器/包 - 8 -

长度 23.24 mm 22.48 mm -

宽度 7.1 mm 6.35 mm -

高度 3.93 mm 4.57 mm -

封装 DIP-18 DIP-18 DIP-18

工作温度 -20℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -

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