对比图
型号 STB8NM60D STB8NM60T4 STP8NM60D
描述 N沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STB8NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 VN沟道600V - 0.9ヘ - 8A - TO- 220 / D2PAK快速二极管MDmesh⑩功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.9ヘ - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh⑩ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 100 W 100 W 100 W
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 5.00 A 8A
上升时间 10 ns 10 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 380pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 100 W 100 W 100 W
下降时间 8 ns 10 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)
额定电压(DC) 600 V 650 V -
额定电流 8.00 A 5.00 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.9 Ω -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 380 pF 400 pF -
栅电荷 - 18.0 nC -
漏源击穿电压 - 600 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 4.6 mm
高度 - 4.6 mm 9.15 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99