对比图
型号 FQP6N60C STP5NK100Z SPA04N80C3
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 1.00 kV 800 V
额定电流 5.50 A 3.50 A 4.00 A
额定功率 - 125 W 38 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 2.00 Ω 3.7 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 38 W
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 1 kV 800 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A 3.50 A 4.00 A
上升时间 45 ns 7.7 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 810pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 125 W 38 W
下降时间 45 ns 19 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 38W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 600 V 1.00 kV -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.85 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99