对比图
型号 STD85N3LH5 STD86N3LH5 STD15NF10T4
描述 STMICROELECTRONICS STD85N3LH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VN沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0046 Ω 0.0045 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 70 W
阈值电压 2.5 V 1.8 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 40.0 A - 23.0 A
上升时间 14 ns 14 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 70 W 70 W
下降时间 10.8 ns 10.8 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)
输入电容 - 1850 pF -
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 23.0 A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99