MJD45H11T4G和MJD45H11TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD45H11T4G MJD45H11TF MJD45H11G

描述 PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。ON Semiconductor MJD45H11TF , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 1 MHz, 3引脚 DPAK (TO-252)封装ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 90 MHz 40 MHz 90 MHz

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -8.00 A - -8.00 A

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 3 3 3

极性 PNP - PNP

耗散功率 20 W 1.75 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A - 8A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) 60 60 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.75 W 1750 mW 1750 mW

热阻 - - 6.25℃/W (RθJC)

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.1 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.3 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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