BTS134D和VND5N07

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS134D VND5N07 VND1NV04TR-E

描述 INFINEON  BTS134D  智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 42V, 24A, TO-252-3? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 70.0 V -

额定电流 - 5.00 A -

输出接口数 1 1 1

供电电流 - 0.25 mA 0.1 mA

漏源极电阻 - 200 mΩ 0.25 Ω

耗散功率 43000 mW 60000 mW 35 W

漏源击穿电压 - 70.0 V 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - 5.00 A 500 mA

输出电流(Max) 3.5 A 3.5 A 1.7 A

输出电流(Min) 3.5 A 5 A 1.7 A

耗散功率(Max) 43000 mW 60000 mW 35000 mW

电源电压(Max) 10 V 18 V -

电源电压(DC) 0.00V(min), 10.0V(max) - -

输入电压(DC) 42.0 V - -

输出电压 42 V - -

输出电流 3.5 A - 1.7 A

通道数 1 - 1

针脚数 3 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 10V - -

电源电压(Min) 0 V - -

输入电压 42 V - -

额定功率 - - 35 W

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 2.5 V

漏源极电压(Vds) - - 55 V

上升时间 - - 500 ns

输入数 - - 1

下降时间 - - 600 ns

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.3 mm - 2.4 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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