对比图
型号 BUK965R8-100E STH180N10F3-2
描述 NXP BUK965R8-100E 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.00445 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 3 4
封装 TO-263 TO-263-3
针脚数 3 4
漏源极电阻 0.00445 Ω 0.0039 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 357 W 315 W
阈值电压 1.7 V 2 V
输入电容 - 6665 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
上升时间 - 97.1 ns
输入电容(Ciss) - 6665pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 315 W
下降时间 - 6.9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 315W (Tc)
长度 - 15.8 mm
宽度 - 10.4 mm
高度 - 4.8 mm
封装 TO-263 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17