FDD8876和STD60N3LH5

对比图

型号 FDD8876 STD60N3LH5 STD100N3LF3

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD60N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 7.6 mohm, 10 V, 1.8 VN沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 73.0 A - -

通道数 1 - 1

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 70 W 60 W 110 W

输入电容 1.70 nF - -

栅电荷 34.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 73.0 A 24.0 A 80A

上升时间 91 ns 33 ns 205 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 2060pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 60 W 110 W

下降时间 37 ns 4.2 ns 35 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 7.6 mΩ -

阈值电压 - 1.8 V -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.39 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -