IPD03N03LBG和SPA04N80C3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD03N03LBG SPA04N80C3 SPB20N60C3

描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-TransistorINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPB20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) 30.0 V 800 V 650 V

额定电流 90.0 A 4.00 A 20.7 A

额定功率 - 38 W 208 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 1.1 Ω 190 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 38 W 208 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 800 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 90.0 A 4.00 A 20.7 A

上升时间 - 15 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 570pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 115 W 38 W 208 W

下降时间 - 12 ns 4.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 38W (Tc) 208W (Tc)

通道数 - - 1

输入电容 5.20 nF - 4.50 nF

工作结温(Max) - - 150 ℃

栅电荷 40.0 nC - -

长度 - 10.65 mm 10.31 mm

宽度 - 4.85 mm 9.25 mm

高度 - 16.15 mm 4.57 mm

封装 TO-252 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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