CSD87350Q5D和CSD87351ZQ5D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD87350Q5D CSD87351ZQ5D CSD86330Q3D

描述 同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对同步降压NexFET功率模块 Synchronous Buck NexFET Power Block同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP-8 LDFN-8

电源电压(DC) - - 22.0V (max)

通道数 2 - 2

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.005 Ω - 4.6 Ω

极性 Dual N-Channel - Dual N-Channel

耗散功率 12 W 12000 mW 6 W

阈值电压 2.1 V - 1.4 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V

输入电容(Ciss) 1770pF @15V(Vds) 1255pF @15V(Vds) 920pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max) 12 W 12 W 6 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 12 W 12000 mW 6 W

漏源击穿电压 ±30 V - -

上升时间 17 ns 10 ns -

下降时间 2.3 ns 4.2 ns -

电源电压(Max) - 8 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

长度 6.1 mm 6 mm 3.4 mm

宽度 5.1 mm 5 mm 3.4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 LSON-CLIP-8 LSON-CLIP-8 LDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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