对比图
型号 FQA24N50 STW20NK50Z STW19NM50N
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 24.0 A 17.0 A -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 200 mΩ 0.23 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 290 W 190 W 110 W
阈值电压 5 V 3.75 V 4 V
输入电容 3.50 nF 2600 pF -
栅电荷 90.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 17.0 A 14A
上升时间 250 ns 20 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1000pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 290 W 190 W 110 W
下降时间 155 ns 15 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 290W (Tc) 190W (Tc) 110W (Tc)
额定功率 - 190 W -
针脚数 - 3 -
宽度 5 mm 5.15 mm 5.15 mm
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
高度 - 20.15 mm 20.15 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -