对比图
型号 KST5551MTF MMBT5551LT1G MMBT5551
描述 NPN 晶体管，高于 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT5551 单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 300 MHz - 300 MHz
额定电压(DC) 160 V 160 V 160 V
额定电流 600 mA 600 mA 600 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.35 W 225 mW 350 mW
击穿电压(集电极-发射极) 160 V 160 V 160 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 350 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW
额定功率 - 0.225 W -
针脚数 - 3 3
最大电流放大倍数(hFE) - 250 -
直流电流增益(hFE) - 80 250
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.92 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.97 mm 0.94 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - - 8541210075