对比图
型号 STL100NH3LL STL60N3LLH5 BSC0909NS
描述 N沟道30 V - 0.0032 Ω - 25 A - PowerFLAT ™ （引脚6x5 ）的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 30 V - 0.0032 Ω - 25 A - PowerFLAT™ (6x5) STripFET™ III Power MOSFETN 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 100 A - -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.0032 Ω 0.0063 Ω 7.7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 60 W 2.5 W
阈值电压 2.5 V 1 V -
输入电容 4.45 nF - -
栅电荷 40.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 34 V
漏源击穿电压 30 V - 34 V
连续漏极电流(Ids) 100 A 60A 12A
上升时间 50 ns 11.2 ns 4.4 ns
输入电容(Ciss) 4450pF @25V(Vds) 1290pF @25V(Vds) 1110pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 4 W 60 W 27 W
下降时间 8 ns 6 ns 5.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 60W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc)
长度 5 mm 5 mm 5.9 mm
宽度 6 mm 6 mm 5.15 mm
高度 0.81 mm 0.81 mm 1.27 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -